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- 产品介绍
- R研发用D
- Lucida P
LucidaTM P 系列等离子体增强学气相沉淀
为研发应用用途的等离子体增强化学气相沉淀系统
LucidaTM P series PECVD
应用范围
- a-Si, Si3N4 and SiO2 等等
- 100~300mm 硅片
- 适用于研发
- 低成本
- 多种追加选项(原位清洗)
特征
- 等离子体增强化学气相沉淀持有良好的厚度均匀性的 Si3N4 及 SiO2 的薄膜
- 先进的工艺kit及紧凑的反应室
- 直接等离子体(plasma)系统
- 小的占用面积
- 综合集成化的工艺单元模组
- 简便的工艺控制
- 装载锁系统
技术数据
| 硅片尺寸 | 150~300 mm |
|---|---|
| 加热器温度 | 25℃ ~ 450 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, 里硅片 |
| 前驱体原料 | 3, 加热 2 原料 |
| 占用面积 | 2600(L) x 650(W) x 1500(H) mm(包括 MTB) |
| 兼容性 | 100 级洁净室 |
| 控制系统 | PLC/PC 控制(全自动方式) |