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LucidaTM C 系列金属有机化合物化学气相沉淀

为研发应用用途的金属有机化合物化学气相沉淀系统

LucidaTM C series MOCVD

Lucida GS Series

应用范围

  • 氧化物, 金属, 金属氮化物等等
  • 100~300mm 硅片
  • 适用于研发
  • 低成本
  • 多种追加选项

特征

  • 持有良好的厚度均匀性和共行阶段覆盖的金属有机化合物化学气相沉淀薄氧化物膜, 金属膜及金属氮化物膜
  • 先进的工艺kit及紧凑的反应室
  • 直接等离子体(plasma)系统(选项)
  • 小的占用面积
  • 综合集成化的工艺单元模组
  • 简便的工艺控制
  • 缩小气体供应线的长度
  • 装载锁系统(选项)

技术数据

技术数据
硅片尺寸 150~300 mm
加热器温度 25℃ ~ 450 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, in wafer
Precursor sources 3, 加热 2 原料
占用面积 2600(L) x 650(W) x 1500(H) mm(包括 MTB)
沉积均匀性 双喷淋领头式气体喷嘴
兼容性 100级洁净室
控制系统 PLC/PC 控制(全自动方式)
选项 可以加热4个原料
选项 Lucida冷却器(2线路)
选项 装载锁系统
选项 直接等离子体系列
相关Lucida™ C系列的更详细的适用用途和技术数据