Global Leader in ALD Technology
为研发应用用途的等离子体增强原子层沉积系统
LucidaTM M series ALD
应用范围
特征
技术数据
硅片尺寸 | 150~300 mm |
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加热器温度 | 25℃ ~ 450 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, 里硅片 |
前驱体原料 | 3, 加热 2 原料 |
沉积均匀性 | <±2% |
占用面积 | 2600(L) x 650(W) x 1500(H) mm(include MTB) |
沉积方式 | 双喷淋领头式气体喷嘴 |
兼容性 | 100级洁净室 |
控制系统 | PLC/PC 控制(全自动方式) |
选项 | 可以加热4个原料 |
选项 | Lucida冷却器(2线路) |