Global Leader in ALD Technology
- 产品介绍
- 研发用
- Lucida DD
LucidaTM D 系列原子层沉积
为研发应用用途的原子层沉积系统
LucidaTM D series ALD
应用范围
- 为原子层沉积研究的薄膜制造
: Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO 等等 - 100~200mm 硅片
- 适用于研发
- 低成本
特征
- 持有良好的厚度均匀性和共行阶段覆盖的原子层沉积超薄高-k电介质(dielectric)
- 先进的工艺kit及紧凑的反应室, 以实现短的循环周期
- 极其实现化的原子层沉积机制(行波方法)
- 小的占用面积
- 综合集成化的工艺单元模组
- 简便的工艺控制
- 缩小气体供应线的长度
技术数据
| 硅片尺寸 | 100~200 mm |
|---|---|
| 工艺温度范围 | 25℃ ~ 350 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, 里硅片 |
| 前驱体原料 | 3, 加热 2 原料和 H2O source |
| 沉积均匀性 | <±2% |
| 占用面积 | 950 x 700 mm |
| 兼容性 | 100级洁净室 |
| 控制系统 | PC控制(全自动方式) |
| 选项 | 可以加热4个原料 |
| 选项 | Lucida冷却器(2线路) |