NCD

IGZO是典型的oxide  TFT物质，如果IGZO对比现在a-Si，它比现有的a-Si的电子移动度快20 - 50倍，而且SS（Sub-Threshold Voltage swing）特性和均一度都很优秀。
因此便于使用在大面积，比如体现在OLED TV 这种高性能交互式显示屏最合适的物质 。且也可以与ITO一同使用在透明显示屏上，IGZO是最近在OLED市场上颇受青睐。
但是，如果IGZO TFT适应在OLED上的时候，作为目前OLED薄膜封装方面使用最多的PECVD的SiNｘ的话，SiNx中包含的几十个百分比的 H(氢) 会打穿OLED层影响到ＩＧＺＯ并且扩散，由于这个原因 IGZO TFT的特性就会出现下降
 
< Comparison of I-V characteristic of a-IGZO TFTs with and without hydrogen diffusion >

从IGZO TFT的I-V图表中可以看出，IGZO特征的IV curve中能降低 SS slop, Ioff current上升，Vth将变成负数，TFT的特性低下
在使用IGZO TFT的OLED diplay中, 将包含氢气的 SiNx 应用于encapsulation层时,为了防止因氢气扩散导致TFT特性下降，所以需要屏障层。Al2O3的优秀层膜可以代替现有的氢气屏障膜。

但是，用等离子体的PEALD在第一个Encapsulation层上适应Al2O3的话，工艺当中发生氧气等离子体的损害阴极氧化，使TFE无法作为第一层使用。
因此，在等离子的损害方面会比较自由的和ThermalALD的Al2O3在内的encapsulation层和IGZO TFT方面可说可以成为最佳组合。
NCD公司的 Lucida GD Series是一款第六代大面积基板上的量产应对用thermal ALD batch设备，它可以防止在IGZO TFT上产生致命特性低下的氢气扩散,形成一个优秀特性的ALD-Al2O3氢气屏障层。而且，使用Al2O3/Polymer/Al2O3结构的encapsulation层作为OLED的封装膜,期待能应用到透明折叠OLED显示屏
 
< NCD’s LucidaTM GD Series ALD >